1月20日，近期市场阴风再起，传闻美国政府考虑限制中国从美国获取半导体方面的技术，并企图阻挠荷兰阿斯麦公司向中国出售产品。虽说此消息空穴来风，且光刻机供应商ASML的极紫外光（EUV）光刻机，主要用于7nm及以下的工艺开发，短期对国内主流先进工艺28nm以及中芯国际目前研发14nm的影响不大，但光刻机作为半导体制造业中最核心的设备，是我国发展国产芯片的关键，未来高端芯片制造的发展绝不能受制于人，现阶段逐步实现光刻机设备及相关材料的突破已然至关重要。
近年来，随着全球半导体制造重心向我国转移的趋势愈加明朗，面对着国内半导体产业国产化率低，落后于全球半导体产业发展步伐，且相关布局处处受人制肘的局面，国家层面对发展半导体产业链的自主化愈发重视。
自2014年伊始，工信部、财政部等多个部门联合相继推出了大基金一期和二期战略投资，以加速国内半导体产业的发展，特别是重资产的半导体制造环节。从目前一期的完成来看，以侧重于IC制造等领域为主，而二期更大的资金杠杆，将更侧重于完成在国产装备、材料等上游产业链环节，重点向上游设备和材料领域加大投资倾斜，以打破国外垄断为战略目标。
从国家战略角度看，我国半导体产业未来的目标，除实现国产替代自主化外，做大做强并逐步承担起全球主要市场将是长远的规划。就光刻机领域来看，掌握光刻机制造技术将是未来发展国产芯片的关键，好在当前上海微电子被寄予希望，承担起多项国家重大科技专项和 02 专项光刻机科研任务，公司的前道制造光刻机最高已能实现 90nm 制程，下一步将有望快速产品延伸至65nm、45nm 制程，而光刻工艺中，光刻胶作为与光刻机、掩模版及半导体制程中的许多工艺步骤相配合的核心产品，目前国内已有多家企业逐步研发最新的KrF和ArF光刻胶的核心技术，避免在芯片的关键材料受制于人。
我们认为，光刻胶是光刻工艺的核心，目前世界芯片工艺水平已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线（436nm）、i线（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）、F2（157nm），以及最先进的EUV线（<13.5nm）水平，同时国内对光刻胶的选择和光刻胶工艺的自主研发已逐步进行，上海、北京等也均出台政策以重点推动光刻机等关键技术装备研制和产业化，提升芯片制造产业链的自主可控，加快突破光刻机领域“卡脖子”的难题，而随着国内晶圆厂量产逐步进入国产化替代，预计相关光刻胶合格供应商将有望率先受益，具体可关注：
晶瑞股份（300655）：国家大基金战略持有公司近5%股份，公司在光刻胶方面承担了02国家重大专项，已向02项目专项办公室提交验收申请，i线光刻胶已通过中芯国际上线测试，近期拟在湖北省潜江市投资建设晶瑞（湖北）微电子材料项目，生产光刻胶及其相关配套的功能性材料、电子级双氧水、电子级氨水等半导体及面板显示用电子材料等；
南大光电（300346）：公司参股公司北京科华开发的248nm光刻胶目前已通过包括中芯国际在内的部分客户的认证，“193nm 光刻胶及配套材料关键技术研究项目”的研发工作已经完成，子公司宁波南大光电拟以增资扩股的方式融资2.6亿元，进一步推动光刻胶项目的顺利实施。产品包括光刻胶及配套材料；
广信材料（300537）：公司主营高科技领域适用的感光材料等材料的研究、生产和销售，目前光刻胶技术开发项目第一批次产品已取得研发成果。
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